磁気抵抗素子用磁性薄膜およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶山佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311016
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140687
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】耐食性、生産性に優れた磁気抵抗素子用磁性薄膜およびその製造方法を提供する。【構成】非磁性導電体中に磁性体を分散させてなる薄膜を基体上に有することからなる磁気抵抗素子用磁性薄膜であって、前記磁性体の粒径が10Å以上10μm以下で、かつ、前記磁性体の充占率は10vol %以上90vol %以下である。この磁気抵抗素子用磁性薄膜は非磁性導電体に、磁性体とは互いに10at%までしか固溶しない非磁性金属を用い、この非磁性金属と磁性体とを基体上に同時ベーパデボジションし、その後、500°C以上の温度でアニールするか、または磁性体粉を導電性塗料中に分散し、この混合物を非磁性基体上に塗布することをにより製造される。

請求項（抜粋）：

非磁性導電体中に磁性体を分散させてなる薄膜を基体上に有することからなる磁気抵抗素子用磁性薄膜であって、前記磁性体の粒径が10Å以上10μm以下で、かつ、前記磁性体の充占率は10vol %以上90vol %以下であることを特徴とする磁気抵抗素子用磁性薄膜。

IPC (5件)：

H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/20 , H01F 41/18

引用特許：

出願人引用 (5件)

磁気抵抗トランスデューサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-152321 出願人：トムソン-セーエスエフ
特開平3-016203
特開平1-175781

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