特許
J-GLOBAL ID：200903007268738045
シリサイドプラグ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021886
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221096
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 縦横比の大きい超高集積素子に適当なPtSiプラグの形成方法を提供することにその目的がある。【構成】 基板上に絶縁膜を蒸着しパターニングしてコンタクトホールを形成するステップと、前記コンタクトホールが完全に詰められるようにブランケットシリコン膜を基板全面にわたって肉厚に蒸着するステップと、前記絶縁膜が露出される時までブランケットシリコン膜をエッチングバックしてシリコンプラグを形成するステップと、基板全面にわたって薄膜の白金膜を蒸着するステップと、熱処理工程により白金シリサイドを形成するステップと、未反応の白金膜を除去してコンタクトホールにシリサイドプラグを形成するステップと、を含む。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(61)上に絶縁膜(62)を蒸着し、パターニングしてコンタクトホール(63)を形成するステップと、前記コンタクトホール(63)に完全に詰められるようにブランケットシリコン膜(64)を基板全面にわたって肉厚に蒸着するステップと、前記絶縁膜が露出されるまでブランケットシリコン膜(64)をエッチングバックしてシリコンプラグ(65)を形成するステップと、基板全面にわたって薄膜の白金膜(66)を蒸着するステップと、熱処理工程により白金シリサイド(67)を形成するステップと、未反応の白金膜(66)を除去してコンタクトホール(63)にシリサイドプラグ(67’)を形成するステップと、を含むシリサイドプラグの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 Q
, H01L 21/90 D
