特許
J-GLOBAL ID：200903007272193908
半導体ウエーハの製造方法、該製造方法に用いる研削方法とその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215297
公開番号（公開出願番号）：特開平9-103944
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 従来のウエーハ加工工程で行われていたラップ工程とエッチング工程に代る研削工程を設け、加工工程の短縮が図れるとともに、前記研削は両面同時研削であるために、ウエーハの保持の為のウエーハ真空吸着に起因するスライスマークの転写や、ワックスマウント方式のように作業が煩雑することがなく、更にはバッチ研削でなく連続研削を行うことが容易となり、この結果加工代のバラツキが生じることなく高精度の平坦度と安定した厚み研削を可能とする。【解決手段】 本発明は薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取りしたウェーハを、軸受により両端支持された一対の円筒状回転砥石間を挿通させて両面同時研削により平坦化した後、該平坦化したウェーハを片面若しくは両面研磨して研磨ウエーハを製造することを特徴する。
請求項（抜粋）：
薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取りしたウェーハを、軸受により両端支持された一対の円筒状回転砥石間を挿通させて両面同時研削により平坦化した後、該平坦化したウェーハを片面若しくは両面研磨して研磨ウエーハを製造することを特徴とする半導体ウェーハ製造方法。
IPC (2件)：
B24B 7/17
, H01L 21/304 321
B24B 7/17 Z
, H01L 21/304 321 M
