特許

J-GLOBAL ID：200903007274449438

半導体発光素子

発明者： 松岡 隆志 ,  川口 悦弘
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125134
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 少なくとも活性層が超格子構造からなり、II族元素とVI族元素からなる半導体レーザにおいて、不純物導入による混晶化を可能とすることにある。【構成】 共振器を形成する両端面の近傍の半導体結晶、帯状の電流注入領域の長手方向に沿った領域或いは電流注入領域の周辺の半導体結晶にガリウムを注入し、混晶化したものである。

請求項（抜粋）：

少なくとも活性層が超格子構造からなり、II族元素とVI族元素からなる半導体レーザにおいて、共振器を形成する両端面の近傍の半導体結晶がガリウムを含み、混晶化していることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-291984
  
• 特開平2-010788
  
• 特開昭63-060573