特許

J-GLOBAL ID：200903007276155989

電極、キャパシタおよびメモリならびにそれらの製造方法

発明者： 広中 克行 ,  香取 健二 ,  渡部 浩司 ,  磯辺 千春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006133
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204734
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 被電極接続部の特性を向上させることができる電極、それを用いたキャパシタおよびメモリ、ならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 基板11の上に接合層12を介して下部電極13,誘電体膜14および上部電極15を順次積層する。電極13は、IrPtRuO(酸素含有量10原子%以上)よりなる第1の層13aと、IrPtRuあるいはIrPtRuO(酸素含有量10原子%より少ない)よりなる第2の層13bとを、第2の層13を誘電体膜14側として積層した構造とする。第1の層13aは誘電体膜14との間の拡散を防止し、第2の層13bは誘電体膜14との界面において生じる若干の拡散により誘電体膜14における結晶の成長を容易とする。これにより被電極接続部である誘電体膜14の結晶性が良好になり特性が向上する。

請求項（抜粋）：

被電極接続部に対して接続される電極であって、被電極接続部との間において構成元素の拡散する程度が異なる第1の層と第2の層とを備えたことを特徴とする電極。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/10 621 Z