特許
J-GLOBAL ID:200903007283861988
強誘電体磁器組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
下田 容一郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-133648
公開番号(公開出願番号):特開平6-150716
出願日: 1991年05月09日
公開日(公表日): 1994年05月31日
要約:
【要約】【構成】 PZTまたはPZT系にSnO2,Nb2O5,SrO,BaO等の添加物を加えてなり、その結晶系が正方晶系とされ、Zr/(Zr+Ti)で表わされるZr比が相境界のZr比より少なくとも0.5モルパーセント小さく設定されたことを特徴とする強誘電体磁器組成物。【効果】 本発明の強誘電体磁器組成物は、正方晶系なので強電界に対し良好な比例関係を保って大きな歪を生じ、雰囲気の温度変化にもあまり影響されず、且つ、耐久性良好である。
請求項(抜粋):
PZTまたはPZT系にSnO2,Nb2O5,SrO,BaO等の添加物を加えてなり、その結晶系が正方晶系とされ、Zr/(Zr+Ti)で表わされるZr比が相境界のZr比より少なくとも0.5モルパーセント小さく設定されたことを特徴とする強誘電体磁器組成物。
IPC (3件):
H01B 3/12 301
, C04B 35/49
, H01L 41/187
引用特許:
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