特許

J-GLOBAL ID：200903007290249368

受光素子

発明者： 海野 恒弘 ,  隈 彰二
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153378
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003338
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】素子表面にフィルタ層を別個に設けない単純な素子構造で、単波長受光を可能とする。【構成】p型GaAs基板13上に、p型GaAlAsクラッド層12、i型GaAlAs活性層11、n型GaAlAsウィンドウ層10を積層してダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハを形成する。その表裏にn側電極2、p側電極7を設ける。p型GaAlAsクラッド層12はキャリア濃度5×1017cm-3、AlAs混晶比0.3である。i型GaAlAs活性層11はキャリア濃度1×1017cm-3以下、AlAs混晶比0.1である。n型GaAlAsウィンドウ層10はキャリア濃度は表面で1×1018cm-3である。ここでAlAs混晶比はi型層11との界面から表面に向って低くなっていく。i型層11との界面でAlAs混晶比は0.25、表面でAlAs混晶比は0.15である。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上にダブルヘテロ構造をもつエピタキシャル層を積層し、その上に高エネルギの光を吸収するフィルタ層を成長することによりエピタキシャルウェハを形成し、このエピタキシャルウェハ面に電極を形成したことを特徴とする受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭50-051285
  
• 特開昭55-082473
  
• 特開平2-215169