窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128155
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321908
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】本発明は、紫外光から赤色系まで発光可能な発光素子や起電力の高い受光素子などに利用可能な半導体素子の製造方法などに係わり、特に窒化物系化合物半導体ウエハーをチップ状に切断する製造方法などに関する。【解決手段】本発明は、窒化物系化合物半導体層が積層形成された半導体ウエハから窒化物系化合物半導体素子を製造する方法であり、半導体ウエハをレーザ照射により第1の溝を形成する工程と、ダイサー及び/又はスクライバーの刃先を第1の溝に沿って合わせ駆動させ半導体ウエハを分離する工程を有する窒化物系化合物半導体の製造方法である。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体が積層形成された半導体ウエハから窒化物系化合物半導体素子を製造する方法であって、前記半導体ウエハをレーザ照射により第1の溝を形成する工程と、ダイサー及び/又はスクライバーの刃先を前記第1の溝に沿って合わせ駆動させる工程と、を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , B23K 26/00 , H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C , B23K 26/00 A , H01S 3/18

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