特許
J-GLOBAL ID:200903007299549178

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶原 辰也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-315534
公開番号(公開出願番号):特開平10-144723
出願日: 1996年11月12日
公開日(公表日): 1998年05月29日
要約:
【要約】【課題】 ボンディング後のインナリードに応力が残留するのを防止する。【解決手段】 接続工程において、一主面にインナリード4、アウタリード5が敷設されたテープキャリア1にチップ10が絶縁膜8を介して接着される。インナリード4にはノッチ6が片寄った位置に形成されている。インナリードボンディング工程において、インナリード4の短い部分4aがボンディング工具13でて叩かれて切断された後に、長い部分4b側の切断部片がボンディング工具13で彎曲されて電極パッド12に熱圧着される。樹脂封止工程で、キャリア本体2の窓孔3内にシリコンゴムがポッティングされて樹脂封止部14が形成される。アウタリード5のバンプ形成孔7にバンプ15が形成される。【効果】 ボンディング後のインナリードに応力が残留するのを防止できるため、CSP・ICに作用する熱応力でインナリードが断線するのを防止できる。
請求項(抜粋):
一主面にインナリード群およびアウタリード群が敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されており、前記半導体チップの各電極パッドに前記各インナリードがインナリードボンディングされている半導体装置の製造方法であって、前記インナリードボンディングに際して、前記インナリードの一部がボンディング工具によって叩かれて切断された後に、一方の切断部片がボンディング工具によって彎曲されるとともに前記電極パッドに押接されてボンディングされることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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