特許

J-GLOBAL ID：200903007305545732

絶縁膜の形成方法およびこれを用いて製造される半導体装置

発明者： 山本 博士
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226598
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045608
出願日： 1993年07月31日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 信頼性の高い絶縁膜を形成し、これを用いて半導体装置の動作特性を改善する。【構成】 単結晶Si基板1上にSiOx膜2とアモルファスSi膜3を順次積層し、N2O雰囲気またはNH3雰囲気中でXeClまたはKrFエキシマ・レーザ・アニールを行ってアモルファスSi膜3のみ選択的に加熱し、これを窒化または酸化窒化してSiOxNy膜4またはSixNy膜5に変化させる。さらに、この2層積層膜系をゲート絶縁膜6として用い、MOS-FETを構成する。【効果】 従来のRTN(急速熱窒化)処理を行ったゲート絶縁膜と異なり、窒素がSiOx膜中にほとんど分布しないので、膜中で電子捕獲が生じない。MOS-FETの閾値電圧Vth,相互コンダクタンスgmが長期間安定に維持され、しかも低温プロセスなので不純物プロファイルに悪影響が及ばない。

請求項（抜粋）：

下地材料層の上に酸化シリコン薄膜を形成する工程と、前記酸化シリコン薄膜の上にシリコン系薄膜を形成する工程と、少なくとも窒素を含有する雰囲気下で前記シリコン系薄膜のレーザ・アニールを行う工程とを有することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J