特許
J-GLOBAL ID：200903007307393425
レベルシフト回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227453
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067933
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】消費電力増大をもたらすことなく、高周波特性を改善したレベルシフト回路を提供することを目的とする。【構成】入力ノードIN,/INと出力ノードOUT,/OUTの間にソースフォロアMESFET-J1 ,J3 を介して、レベルシフトダイオードD1 〜D3,D4 〜D6 が接続され、出力ノートOUT,/OUTは電流源用MESFET-J2 ,J4 および電流源用抵抗RB1,RB2を介してVssに接続されて、第1,第2のレベルシフト回路部1,2が構成されている。電流源用MESFET-J2 ,J4 のゲートには抵抗RG1,RG2を介して直流バイアスVBBが与えられると同時に、それぞれの入力信号とは逆相の信号がキャパシタCG1,CG2を介して与えられて、電流源回路には高周波域で利得が生じるようになっている。
請求項（抜粋）：
第1のノードと第2のノードの間に接続されて第1のノードに供給される信号の直流レベルをシフトする一または二以上のレベルシフト素子と、前記第2のノードに接続されて制御端子に直流バイアスが与えられた電流源トランジスタと、一端が前記電流源トランジスタの制御端子に接続され、他端に前記第1のノードに供給される信号と逆相の信号が供給されるキャパシタと、を備えたことを特徴とするレベルシフト回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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