特許

J-GLOBAL ID：200903007313656667

半導体装置の製造方法

発明者： 栗原 久明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003900
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199586
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 SRAMにおけるシェアードコンタクト7等において、接続孔側壁に耐湿性の側壁保護層8を熱CVD法およびこれに続くエッチバックで形成する場合の、下地導電材料層表面の酸化を防止する。【解決手段】 熱CVD装置へ被処理基板を搬入する際のチャンバ内温度を、600°C以下に制御する。【効果】 導電材料層が高融点金属シリサイド層5のように酸化され易い材料であっても、その表面に厚い自然酸化膜が形成されることがない。したがって、保護層10のエッチバックにおけるオーバーエッチング量を低減でき、側壁保護層8の消失や不純物拡散層2のダメージが解消される。

請求項（抜粋）：

被処理基板上の導電材料層上に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜に、前記導電材料層に臨む接続孔を開口する工程、前記層間絶縁膜上および前記接続孔内部に、保護層をコンフォーマルに形成する工程、前記保護層をエッチバックして少なくとも前記導電材料層上から除去するとともに、前記接続孔側壁に残して側壁保護層を形成する工程、を有する半導体装置の製造方法であって、前記保護層の形成工程は、熱CVD装置を用いた熱CVD工程であり、前記被処理基板の前記熱CVD装置への搬入時には、前記熱CVD装置の内部温度を600°C以下に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/90 A ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/95