特許

J-GLOBAL ID：200903007316654363

炭素ナノチューブマトリックス及びその成長方法

発明者： 劉 亮 ,  ▲ハン▼ 守善
出願人/特許権者： 清華大学
代理人 (8件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275688
公開番号（公開出願番号）：特開2004-168634
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】 本発明は、金属基板に直接に成長された工業応用に適する炭素ナノチューブマトリックスを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は金属基板に直接に成長された工業応用に適する炭素ナノチューブマトリックスを提供し、それは金属基板及び該金属基板に形成された炭素ナノチューブマトリックスを含み、該金属基板と炭素ナノチューブのマトリックス間に該金属基板に堆積されたシリコン層を備える。また、本発明は金属基板を選ぶ必要はなく且つ金属基板に炭素ナノチューブマトリックスを直接に成長する方法を提供し、それは金属基板を提供し、該金属基板にシリコン層を堆積し、触媒を該シリコン層上に堆積し、炭化水素ガスを導入し、炭素ナノチューブマトリックスを成長する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属基板及び該金属基板に形成された炭素ナノチューブマトリックスを含む炭素ナノチューブマトリックスであって、 該金属基板と炭素ナノチューブマトリックスの間に金属基板に沈積されたシリコン層を有することを特徴とする炭素ナノチューブマトリックス。

IPC (2件)：

C01B31/02 ,  C23C16/26

FI (2件)：

C01B31/02 101F ,  C23C16/26

Fターム (25件)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC01 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC26 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BB14 ,  4K030CA02 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 中国公開第1241813A号