特許

J-GLOBAL ID：200903007318883904

酸化亜鉛系薄膜の製造方法

発明者： 寺内 正治 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160213
公開番号（公開出願番号）：特開平6-345426
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月20日
要約：

【要約】【目的】 抵抗が所望の値に制御され、かつ透明なZnO薄膜を提供する。【構成】 基板上に酸化亜鉛薄膜を堆積後、III族元素の薄膜を堆積することで酸化亜鉛薄膜中へIII族元素を導入する。また、基板上にIII族元素の薄膜を堆積後、酸化亜鉛薄膜を堆積し、熱処理することで、酸化亜鉛薄膜中へIII族元素を導入する。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛薄膜を堆積する前にIII族元素を堆積する工程を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C01G 9/02 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/316 ,  H01L 31/04