特許
J-GLOBAL ID：200903007323326630
面発光型半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135051
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332353
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 光導波領域の大きさの制御を容易にするとともに、長寿命化を図る。【解決手段】 基板11の一表面に第1のDBR反射層12と、活性層13と、第2のDBR反射層14とが形成され、その第2のDBR反射層14の表面および基板11の裏面には電極層15、16がそれぞれ設けられている。活性層13およびDBR反射層12、14には、光導波領域21の外部の領域22に周期構造が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該基板上に設けられた、活性層が2つの反射層によって挟まれ、ダブルヘテロ接合が形成されるサンドイッチ構造の半導体積層構造と、該活性層の光の導波領域の周囲に形成された周期構造とを備えることを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。
Fターム (11件)：
5F073AA43
, 5F073AA65
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073BA04
, 5F073BA07
, 5F073DA04
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA21
, 5F073EA28
