特許

J-GLOBAL ID：200903007324803718

半導体素子

発明者： 上本 勉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053469
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104484
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 色調の劣化、電流の大きさによる色の変化が無く発光効率、外部量子効率の格段に向上した光半導体素子及び低抵抗なオーミック電極を提供することを目的とする。【構成】 第1の発明による半導体素子は、炭素を構成元素の一つとするIV族半導体層でpn接合を形成し、この半導体層にVIa 族元素をドーピングしたことを特徴とするものである。また、第2の発明による半導体用電極は、VIa 族元素がドーピングされた炭素を構成元素の一つとするn型導電型のIV族半導体層とを下地としてこれにオーミック接合する金属層からなることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

炭素を構成元素の一つとする第1導電型の半導体層と、この第1導電型の半導体層上に形成され炭素を構成元素の一つとする第2導電型の半導体層とを具備し、前記第1導電型及び第2導電型の半導体層のうち少なくとも一方の前記半導体層にVIa 族元素がドーピングされていることを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/148 ,  H01L 31/108

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 C