接着方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：中島淳 , 加藤和詳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-157303
公開番号（公開出願番号）：特開2007-327081
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】非晶質炭素膜と金属層との密着性を向上させることのできる接着方法の提供、及び、非晶質炭素膜を備える放熱部材と電極金属層との密着性が改善された半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】非晶質炭素膜の表面に、第一の金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第一の金属層をナノ粒子化する工程と、形成した金属ナノ粒子をマスクとして、前記非晶質炭素膜の表面を局部的にエッチングする工程と、前記エッチングを施した非晶質炭素膜の表面に、第二の金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする非晶質炭素膜と金属層との接着方法、並びに該接着方法を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非晶質炭素膜の表面に、第一の金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第一の金属層をナノ粒子化する工程と、形成した金属ナノ粒子をマスクとして、前記非晶質炭素膜の表面を局部的にエッチングする工程と、前記エッチングを施した前記非晶質炭素膜の表面に、第二の金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする非晶質炭素膜と金属層との接着方法。

IPC (2件)：

C23C 18/18 , H01L 23/373

FI (2件)：

C23C18/18 , H01L23/36 M

Fターム (22件)：

4K022AA01 , 4K022AA05 , 4K022AA35 , 4K022AA41 , 4K022BA07 , 4K022BA08 , 4K022BA12 , 4K022BA14 , 4K022BA22 , 4K022BA24 , 4K022CA01 , 4K022CA02 , 4K022CA06 , 4K022CA17 , 4K022CA19 , 4K022CA28 , 4K022DA01 , 5F136FA01 , 5F136FA22 , 5F136FA23 , 5F136FA24 , 5F136GA21

引用特許：

出願人引用 (1件)

特公昭59-17998号公報

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