特許

J-GLOBAL ID：200903007331009539

プラズマCVD装置

発明者： 亀田 賢治 ,  檜山 真
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-233029
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068208
出願日： 1998年08月19日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置において、反応容器内の堆積膜の膜厚増加に伴う剥離を抑制する。【解決手段】 プラズマCVD装置の反応容器内の部品11の表面あらさを10μm〜100μmの範囲に設定し、膜厚増加に伴う膜剥離を抑制する。

請求項（抜粋）：

反応容器内の部品の表面あらさを10μm〜100μmの範囲に設定したことを特徴とするプラズマCVD装置。

Fターム (7件)：

5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045EC05 ,  5F045EH04 ,  5F045EM09