特許
J-GLOBAL ID：200903007332354736
膜改質方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145889
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343545
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 SOG等の膜の改質にあたって比較的低温のプロセスで充分な改質効果が得られ、且つ熱酸化と同等の界面特性が得られる改質方法を提供する。【構成】 吸収層4に接するように薄膜5を被着形成し、この吸収層4にレーザ光Lを選択的に照射して薄膜5を選択的に改質する。
請求項（抜粋）：
吸収層に接するように薄膜を被着形成し、上記吸収層にレーザ光を選択的に照射して上記薄膜を選択的に改質することを特徴とする膜改質方法。
IPC (4件)：
H01L 21/90
, C03C 17/34
, H01L 21/316
, H01L 29/784
