薄膜構造、及び薄膜構造形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095119
公開番号（公開出願番号）：特開平7-301822
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】モリブデンとクロミウムから成る導電ラインによって十分なエッチング適性と導電性が付与される薄膜構造を提供する。【構成】 PVDを使用して第1と第2のサブレイヤを生成し、それらを合わせてモリブデン-クロミウム層を形成する。リソグラフィを実行してマスク材料のパターンを生成する。エッチングを実施して、マスク材料のパターンで被覆されてない領域を除去し、パターン被覆された部分のモリブデン-クロミウム層では、モリブデンとクロミウムを含む導電ラインを形成する。さらにエッチングによって、導電ライン上にテーパ状エッジを生成し、導電ラインからマスク材料のパターンを除去する。

請求項（抜粋）：

表面を有する基板と、該基板の表面に形成される薄膜構造と、を有する製品において、モリブデン-クロミウムを含む導電ラインを有する薄膜構造。

IPC (3件)：

G02F 1/136 , H01L 21/3205 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 29/78 612 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-020930
特開平4-073620
特開昭63-296021

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