特許
J-GLOBAL ID：200903007348512579
スパツタ方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-239352
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078839
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：
【要約】【目的】 合金ターゲットを用い、スパッタ成膜する際に、ターゲットの使用度合に拘らず常に均質で安定した膜組成で成膜できるとともに、異常放電やダストの生成が防止できるスパッタ方法ならびにこれを可能にする装置を得る。【構成】 合金ターゲット5と基板6とを真空容器8に入れ、ターゲット5にイオン化したガスを照射してターゲット5をスパッタして膜形成する際に、少なくとも成膜中はターゲット5の温度をターゲット温度測定子4で検出し、その温度をターゲット温度制御装置1、加熱装置2及び冷却装置3で制御し固溶域に保持するようにした。
請求項（抜粋）：
合金ターゲットと基板とを真空容器に入れ、上記ターゲットにイオン化したガスを照射してターゲットをスパッタして膜形成する方法において、少なくとも成膜中は上記ターゲットの温度を固溶域に保持するようにしたことを特徴とするスパッタ方法。
IPC (3件)：
C23C 14/46
, C23C 14/54
, H01L 21/203
