半導体装置の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196263
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016048
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理において、プラズマが発生している際に生成され、処理室内部の部材上に付着する堆積物質の剥離を低減してパーティクルの発生を抑制し、製品の歩留まりや生産性を向上できるようにした半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】本発明は、プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置の処理室内部の全部または一部の部材にカップリング剤が表面処理されていることを特徴とする半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置である。

請求項（抜粋）：

処理室内部の全部または一部の部材にカップリング剤を表面処理したプラズマ処理装置を用いて半導体装置を製造する方法であって、処理室内部に設置された電極上に半導体装置を搭載し、該処理室内部にガスを導入し、該半導体装置上にプラズマを発生させて半導体装置を加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (4件)：

B01J 19/08 H , C23C 16/44 J , H01L 21/205 , H01L 21/302 C

Fターム (34件)：

4G075AA24 , 4G075AA52 , 4G075BC06 , 4G075CA47 , 4G075CA51 , 4G075EB01 , 4G075EB41 , 4G075EC21 , 4K030CA04 , 4K030DA06 , 4K030FA01 , 4K030KA08 , 4K030KA47 , 4K030LA15 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004BB23 , 5F004BB30 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045BB15 , 5F045EB06 , 5F045EC05 , 5F045EH14

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