特許

J-GLOBAL ID：200903007353035312

光磁気ディスク用基板およびその製造方法

発明者： 野沢 保明 ,  阿部 徳治 ,  阪口 新
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336092
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036794
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】複屈折が低いHe -Ne レーザーの平行光(波長 633nm)を用い、直入射、ダブルバスで0±20nmの範囲に入るような光磁気ディスク基板を製造する。【構成】成形基板の複屈折を平行光線を用いて直入射で測定した時、径方向に対する周方向の位相の遅れをマイナスとした場合、基板の中心からr(mm)の位置での複屈折の値X(nm)がダブルバスで、-5×10-6r+185 ≦X≦-5×10-6r+215 であることを特徴とする光磁気ディスク用基板、及びこの光磁気ディスク用基板を射出成形法で製造するに当たり、金型温度を110 〜125 °C、冷却時間t(秒)が、0.13Tm -8.5 ≦t≦0.13Tm -4.5(ここにTm は金型温度(°C))並びに射出後の圧縮圧が250 〜400kg/cm2 である光磁気ディスク用基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

固定側金型と移動側金型およびこれらの間に設けられたスタンパとを備えた成形金型のキャビティに、溶融した合成樹脂を射出し、圧縮かつ冷却し、樹脂基板を成形する工程において、該成形基板の複屈折を平行光線を用いて直入射で測定した時、径方向に対して周方向の位相の遅れをマイナスとした場合、基板の中心からr(mm)の位置での複屈折の値X(nm)がダブルバスで、-5×10-6r+185 ≦X≦-5×10-6r+215(ここにrは基板中心からの距離で20〜40mm)であることを特徴とする光磁気ディスク用基板。

IPC (6件)：

G11B 11/10 511 ,  G11B 11/10 541 ,  B29C 45/72 ,  B29D 17/00 ,  B29K 69:00 ,  B29L 17:00