特許
J-GLOBAL ID：200903007359410867
半導体装置の製造方法,この製造方法に用いるシール部材及びこのシール部材の供給装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-076227
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288725
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】バックグラインド工程でICウェハーの非能動面を、ICウェハーの肉厚が一定以下になるまで研削できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ICウェハーの能動面1A上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する半導体素子形成工程と、前記パッド上にバンプ7を形成するバンプ形成工程と、ICウェハーの非能動面を研削して、ICウェハー1を所定の厚みにするバックグラインド工程とを有する半導体装置の製造方法において、バンプ形成工程では、ICウェハー1の周縁部分を残してバンプ7を形成し、バンプ形成工程とバックグラインド工程との間に、前記周縁部分に支持部材20を形成又は貼付する支持部材形成工程を設け、バックグラインド工程では、支持部材20でICウェハー1の周縁部分を支持させた状態で非能動面の研削を行うようにした。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ICウェハーの能動面上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する半導体素子形成工程と、前記パッド上にバンプを形成するバンプ形成工程と、前記ICウェハーの非能動面を、前記ICウェハーを所定の厚みまで研削するバックグラインド工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記バンプ形成工程では、前記ICウェハーの周縁部分を残してバンプを形成し、
前記バンプ形成工程と前記バックグラインド工程との間に、前記周縁部分に支持部材を形成又は貼付する支持部材形成工程を設け、
前記バックグラインド工程では、前記支持部材で前記ICウェハーの周縁部分を支持させた状態で前記非能動面の研削を行うこと、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
, H01L21/92 603B
, H01L21/92 604Z
