特許

J-GLOBAL ID：200903007367317230

MRI装置

発明者： 斎藤 安正
出願人/特許権者： 株式会社日立メディコ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248919
公開番号（公開出願番号）：特開平6-070903
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1994年03月15日
要約：

【要約】【目的】MRI装置の高周波増幅器において、増幅器の温度変動によって高周波パルスの入出力特性が変動する。温度変動が発生しても、入出力特性の変化しない高周波増幅器を提供する。【構成】高周波増幅器60に温度センサ7と温度補償電圧発生回路1を付加し、これで発生した電圧をバイアス発生回路6,減衰量制御回路2に印加する。また、高周波パルス印加のバイアスON信号をパルス積分回路4で積分して、利得補償パルスを発生し、減衰量制御回路2に加える。【効果】本発明によれば、増幅器の温度上昇によって入出力特性が変化しても、これを補償するようにバイアス電圧,減衰量制御電圧が印加されるため、常に一定の入出力特性となり、所望の高周波パルスの増幅が可能となる。

請求項（抜粋）：

高周波発振器の出力信号を変調器によって振幅変調した後、この振幅変調された信号を高周波増幅回路によって増幅し、この増幅された信号を高周波パルス送信用コイルへ印加するMRI装置において、前記高周波増幅回路は、高周波増幅器と、この高周波増幅器の近傍に設置した温度センサと、この温度センサによって計測した前記高周波増幅器の温度変化に対応する信号により前記温度変化がもたらす前記高周波増幅器の動作特性の変動を補償する補償回路を具備していることを特徴とするMRI装置。

IPC (2件)：

A61B 5/055 ,  G01R 33/30

FI (3件)：

A61B 5/05 350 ,  A61B 5/05 351 ,  G01N 24/04 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-303142
  
• 特開平3-283458
  
• 特開平3-283708