特許

J-GLOBAL ID：200903007370716196

半導体装置の製造方法

発明者： 澤井 和夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110677
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303180
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 常に寸法が均一でかつノッチの発生のないレジストパターンが得られるようにし、かつ下地の光反射によるレジストパターンの寸法変化も防止する。【解決手段】 まず被エッチング層1上に液状のBARC膜材料(反射防止膜材料)をその表面が平坦になる厚みに塗布してBARC膜2を成膜し、次いでBARC膜2上にレジストパターン4を形成する。続いてレジストパターン4をマスクにしたエッチングによってBARC膜2をエッチングしてBARC膜パターン5を形成し、続いてエッチングを行って被エッチング層1をパターニングする。このときBARC膜材料には、BARC膜2のエッチングにおいてこのBARC膜2がレジストパターン4に対して選択比がとれかつ被エッチング層1のエッチングにおいてBARC膜2が被エッチング層1に対して選択比がとれる有機材料を用いる。

請求項（抜粋）：

被エッチング層上に液状の反射防止膜材料をその表面が平坦になる厚みに塗布して反射防止膜を成膜する第1工程と、前記反射防止膜上にレジストパターンを形成する第2工程と、前記レジストパターンをマスクにしたエッチングによって、前記反射防止膜をエッチングして反射防止膜のパターンを形成し、続いてエッチングを行って前記被エッチング層をパターニングする第3工程とを有し、前記反射防止膜材料には、前記反射防止膜のエッチングにおいて該反射防止膜が前記レジストパターンに対して選択比がとれかつ被エッチング層のエッチングにおいて前記反射防止膜が該被エッチング層に対して選択比がとれる有機材料を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/88 D