特許

J-GLOBAL ID：200903007378406544

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 西田 哲朗 ,  近藤 貴幸 ,  金子 剛
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-098765
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284724
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 シングル横モードで発振し、かつ高い出力のレーザ光を得ることができる面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ100は、共振器120が半導体基板101上に垂直方向に形成され、共振器120より半導体基板101に垂直な方向へレーザ光を出射する。共振器120は、下部ミラー103、活性層105、および上部ミラー117が積層されて形成され、かつ、少なくとも一部に上部ミラー117を含む半導体堆積体110を含む。上部ミラー117は、半導体堆積体110の上面を含む柱状の上部ミラー中央部104と、上部ミラー中央部104の外周に位置する上部ミラー周辺部108とを含む。上部ミラー周辺部108の側面と半導体基板101の表面とのなす角は鋭角である。

請求項（抜粋）：

共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、前記共振器は、下部ミラー、活性層、および上部ミラーが積層されて形成され、かつ、少なくとも一部に前記上部ミラーを含む半導体堆積体を含み、前記上部ミラーは、前記半導体堆積体の上面を含む柱状の上部ミラー中央部と、該上部ミラー中央部の外周に位置する上部ミラー周辺部とを含み、前記上部ミラー周辺部の側面と前記半導体基板の表面とのなす角が鋭角である、面発光型半導体レーザ。

Fターム (10件)：

5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA25 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29