特許
J-GLOBAL ID：200903007383119405
ショットキーバリア半導体装置およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269656
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117002
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 金属層が設けられる半導体層の表面にエッチングにより凹部を形成することなく、逆方向特性の耐圧が大きく、かつ、順方向電圧降下が小さいショットキーバリア半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】 動作領域となる部分に不純物が導入されて周囲より不純物濃度が高くされた高濃度不純物領域1aを有する第1導電型の半導体基板1と、該半導体基板上にエピタキシャル成長された第1導電型で前記高濃度不純物領域より不純物濃度が低い半導体層2と、前記半導体基板の前記高濃度不純物領域より外周の不純物濃度が低い領域1bの上部で前記半導体層の表面側に形成された第2導電型のガードリング4と、前記半導体層の表面に前記ガードリングにかかるように設けられるショットキーバリアを形成する金属層3とからなっている。
請求項（抜粋）：
動作領域となる部分に不純物が導入されて周囲より不純物濃度が高くされた高濃度不純物領域を有する第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上にエピタキシャル成長された第1導電型で前記高濃度不純物領域より不純物濃度が低い半導体層と、前記半導体基板の高濃度不純物領域より外周の不純物濃度が低い領域の上部で前記半導体層の表面側に形成された第2導電型のガードリングと、前記半導体層の表面に前記ガードリングにかかるように設けられるショットキーバリアを形成する金属層とからなるショットキーバリア半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/48 P
, H01L 29/48 G
