特許

J-GLOBAL ID：200903007384287930

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 前田 和夫 ,  徳増 徳 ,  西本 裕子
出願人/特許権者： 株式会社半導体プロセス研究所 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  キヤノン販売株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149676
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343336
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】本発明は、低温CVD法により形成された絶縁膜の改質方法を含む半導体製造装置に関し、低温で膜形成の可能なCVD法により形成された絶縁膜の膜質を改良することができ、かつ量産性を保持することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。【構成】気相成長により被形成体1上に膜を形成する気相成長室22と、前記気相成長室22と連接され、前記被形成体1上に気相成長された膜に紫外線照射処理を行う紫外線処理室23と、該紫外線処理室23にアンモニアガスを導入するアンモニア(NH3 )ガス導入口32とを有することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

気相成長(CVD)により被形成体上に絶縁膜を形成した後、アンモニア(NH3 )ガス雰囲気中で該被形成体を加熱しながら前記絶縁膜の表面に紫外線照射処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-266835