特許

J-GLOBAL ID：200903007386527164

化合物半導体素子の電極形成方法

発明者： 阪田 昌彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168917
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013343
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体素子の表面に、素子の光出力を低下させることなく、良好なオーミック接触をとることができる電極を形成する。【構成】 化合物半導体素子の表面に、表面層1とオーミック接触する接触層2と、高融点金属からなるバリア層3と、ワイヤボンディングが行なわれるパッド層4とを順に積層する。バリア層3を、スパッタ法により、まずArガスを用いて所定の厚さ3aだけ形成し、続いて、N2ガスを用いて所定の厚さ3bだけ形成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体素子の表面に、この素子の表面層とオーミック接触する接触層と、高融点金属からなるバリア層と、ワイヤボンディングが行なわれるパッド層とを順に積層する化合物半導体素子の電極形成方法において、上記バリア層を、スパッタ法により、まずArガスを用いて所定の厚さだけ形成し、続いて、N2ガスを用いて所定の厚さだけ形成することを特徴とする化合物半導体素子の電極形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00