特許
J-GLOBAL ID:200903007388573236

電子デバイス強度評価用有限要素法解析モデル作成方法、電子デバイス強度評価方法、評価装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-077361
公開番号(公開出願番号):特開平11-272735
出願日: 1998年03月25日
公開日(公表日): 1999年10月08日
要約:
【要約】【課題】電子デバイスの強度を評価する際、解析オペレータ固有の技術に依らず短時間で、実使用レベルで解析精度を保つ有限要素モデルを構築し、疲労寿命までを評価できる電子デバイス強度評価用有限要素法解析モデル作成方法と電子デバイス強度評価方法と評価装置を提供するにある。【解決手段】有限要素法解析モデルは、詳細に解析する部分の電子デバイスにのみソリッド要素SLを用い、同一断面形状を有するオブジェクト(電子デバイス)に対してはビーム要素Bによる表現を行う。その同一形状複数のオブジェクトは2つの平板A,A間に存在し、その平板A,Aはシェル要素Sで表現する。
請求項(抜粋):
対向する2つの平板と、この平板間に並設される複数の電子デバイスと、該平板に対する各電子デバイスの接合部とを備える電子デバイスモジュールの強度評価方法に用いる有限要素法解析モデルを、電子デバイスモジュールの設計パラメータから詳細解析部分をソリッド要素、2つの平板をシェル要素、ソリッド要素と同一断面形状を有するオブジェクトをビーム要素で定義して作成することを特徴とする電子デバイス強度評価用有限要素法解析モデル作成方法。
IPC (3件):
G06F 17/50 ,  G01N 25/18 ,  H01L 29/00
FI (4件):
G06F 15/60 612 H ,  G01N 25/18 L ,  H01L 29/00 ,  G06F 15/60 666 S

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