不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219108
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083855
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】メモリトランジスタの数および面積を増加させることなく多値メモリ化を図り、記憶情報量を増加させた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】メモリトランジスタのゲート電極部20aを2つのフローティングゲート電極22a、22bおよびコントロールゲート電極24をほぼ垂直に積層した2層フローティングゲート構造とし、第1フローティングゲート電極22aに電子が注入されている状態“1”、第1および第2フローティングゲート電極22a、22bのそれぞれに電子が注入されている状態“0”、および第1および第2フローティングゲート電極22a、22bのそれぞれから電子が引き抜かれた状態“2”が存在する多値メモリとした。

請求項（抜粋）：

電気的に情報の書き込みおよび消去が可能なメモリトランジスタが複数、半導体基板上に形成された不揮発性半導体記憶装置であって、上記各メモリトランジスタが、上記半導体基板の主面にこの半導体基板と反対の導電型の領域として形成されたソース電極部およびドレイン電極部と、上記半導体基板上の上記ソース電極部およびドレイン電極部の間に形成された2つのフローティングゲート電極およびコントロールゲート電極が積層された2層フローティングゲート構造を有するゲート電極部と、このゲート電極部横に形成された消去ゲート電極部と、からなる不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭48-073086
特開昭60-010679
特開昭48-073086

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