特許

J-GLOBAL ID：200903007397016927

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070874
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260681
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 p-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い、発光素子の発光出力を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、p型ドーパントをドープしたn型InXGa1-XN層(但し、Xは0XGa1-XN層の電子キャリア濃度が1×1017/cm3〜5×1021/cm3の範囲である。

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、p型ドーパントがドープされたn型InXGa1-XN層(但し、Xは0