特許

J-GLOBAL ID：200903007403740896

シランをベースとするナノポーラスシリカ薄膜

発明者： ヘンドリックス,ネイル ,  スミス,ダグラス・エム ,  ラモス,テレサ ,  ウォーレス,スティーブン ,  ドレジ,ジム
出願人/特許権者： アライドシグナル インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568114
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526197
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2003年09月02日
要約：

【要約】 支持体上に疎水性ナノポーラス誘電膜を形成する方法が提供される。この改善された方法は、少なくとも1種の多官能性前駆体を少なくとも1種のテトラ官能性前駆体と反応混合物に混合してナノポーラス膜前駆体を形成し;そのナノポーラス膜前駆体を前記反応混合物から回収して、それを適する支持体上に堆積させ;そして、前記堆積した膜をゲル化させて前記支持体上でナノポーラス誘電性コーティング形成させることを含んでなる。

請求項（抜粋）：

支持体上のナノポーラス誘電膜であって: (a)少なくとも1種の多官能性前駆体を少なくとも1種のテトラ官能性前駆体と反応混合物に混合してナノポーラス膜前駆体を形成し; (b)(a)のナノポーラス膜前駆体を前記反応混合物から回収して、それを適する支持体上に堆積させ;そして (c)前記堆積した膜をゲル化させて前記支持体上でナノポーラス誘電性コーティング形成させることを含んでなり、 前記多官能性前駆体が1〜3の官能性脱離基を有する方法により製造されるナノポーラス誘電膜。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/768 ,  C08L 83/05

FI (5件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/283 P ,  C08L 83/05 ,  H01L 21/90 Q

Fターム (22件)：

4J002CP01X ,  4J002CP04W ,  4J002CP05W ,  4J002CP08W ,  4J002GH00 ,  4M104EE08 ,  4M104EE12 ,  4M104EE18 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02