特許

J-GLOBAL ID：200903007415999518

半導体装置

発明者： 池田 良成 ,  仲村 秀世 ,  吉田 静安
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081002
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291223
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】半導体素体からの放熱を容器の上下両面から行うことにより半導体装置を小形化し、また内部インダクタンスを低減する。【構成】半導体素体の両面の主電極に電極体を接合し、その電極体を直接あるいは容器端子板を介して放熱作用をもつ接触体に加圧接触させる。また、複数の制御電極に共通配線を介して接続される制御端子は、容器の絶縁性側壁を通して引き出す。これにより、半導体装置が小形化すると共に、主電極との接続に導線のボンディングを用いないので、内部インダクタンスが減少する。

請求項（抜粋）：

一主面上に主電極および制御電極を有する半導体素体の1個あるいは複数個が一つの容器に収容され、複数の制御電極が共通の制御端子に接続されるものにおいて、半導体素体の両主面にそれぞれ存在する主電極に半導体材料に熱膨脹係数の近似した金属材料よりなる電極体が接合され、両電極体の反半導体素体側の面がそれぞれ容器の端子板に対向し、各制御電極が容器の絶縁性側壁を貫通して引き出される制御端子に接続される共通配線と接続されたことを特徴とする半導体装置。