特許

J-GLOBAL ID：200903007416357056

サーフェスエミッション型半導体レーザの製造法

発明者： フランソワ・ブリルエ ,  レオン・ゴルドスタン ,  ジヨエル・ジヤケ ,  アントニナ・プレ ,  ポール・サレ
出願人/特許権者： アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349598
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186400
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】サーフェスエミッション型半導体レーザの製造法【課題】 レーザの空洞共振器の範囲を限定するミラーの優れた平面性と効果的な電気的封じ込めを行なう。【解決手段】 上方にミラーが形成される開放ゾーン(8)を除いて、能動層(CA)上に位置限定されるアルミ合金層(4)の成長を行ないながら、電気的封じ込め層をつくりだすことからなる。エピタクシーを繰り返した後に、合金層(4)のラテラル酸化を行なう。

請求項（抜粋）：

III-V元素基板上に形成されたサーフェスエミッション型半導体レーザの製造法であって、前記のレーザは、ミラー(11、15)によって範囲が限定され、能動層(CA)及び電気的封じ込め層を含む空洞共振器を備えており、前記の電気的封じ込め層の形成には、上部に前記のミラーのいずれか一つ(11)が形成される開放ゾーン(8)を除いて、前記の能動層(CA)の上部に位置限定されたアルミ合金層(4)を成長させる段階と、ドーピングされた基板のエピタクシーを少なくとも一回繰り返す段階と、前記の位置限定されたアルミ合金層(4)のラテラル酸化段階とを含んでいることを特徴とする製造法。