特許
J-GLOBAL ID：200903007420159277
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329988
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144845
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 パターンを微細化した場合にレベルシフトダイオードのオン抵抗を減少することができる半導体装置を提供する。【構成】 ゲート1上にゲート電極1Bが形成され、また、ドレイン2とソース3上に各ドレイン電極2Bとソース電極3Bが、対向するソース電極3Bとドレイン電極2Bまで延びるように交互に梯子状にかつ一体に形成され、レベルシフト用のダイオードが形成される。
請求項（抜粋）：
ゲートの両側にソースとドレインが形成された電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記ソースとドレインの各電極を梯子状にかつ一体に形成することによりレベルシフト用のダイオードを形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
