半導体圧力センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278182
公開番号（公開出願番号）：特開平9-119875
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】半導体圧力センサの低コスト化、小型化を図る。【解決手段】圧力を応力に変換するダイヤフラム部9bが形成された圧力センサチップ9と、圧力センサチップ9を実装するリードフレーム10と、封止樹脂パッケージ11とを備え、ダイヤフラム部9bの表面が、封止樹脂パッケージ11の外側にその一部が露出するシリコーンジャンクションコーティングレジン12によって覆われ、リードフレーム10に形成された貫通孔10c及び封止樹脂パッケージ11に形成された圧力導入孔11aを介して凹部9aの空間が封止樹脂パッケージ11の外側の空間に連通するように構成されている。

請求項（抜粋）：

裏面側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップと、その圧力センサチップを実装するリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出するシリコーンジャンクションコーティングレジンによって覆われ、前記リードフレームに形成された貫通孔及び前記封止樹脂パッケージに形成された圧力導入孔を介して前記凹部の空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空間に連通するように構成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 , H01L 23/28 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/04 101 , H01L 23/28 Z , H01L 29/84 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-238441
特開昭63-238441
特開平4-155970

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