特許
J-GLOBAL ID：200903007429173728
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204861
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053334
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 フォト解像能力以下の微細なコンタクトホールを安定した形状で形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 被接続層11が形成された半導体基板に層間絶縁膜12及び堆積膜13を連続的に形成する工程と、堆積膜13及び層間絶縁膜12を選択的に異方性エッチングにより除去して接続孔を形成する工程と、少なくとも前記接続孔内部にCVD絶縁膜14を被覆する工程と、CVD絶縁膜14に対して異方性エッチングを行ない、接続孔の側面にCVD絶縁膜14からなる絶縁膜側壁を形成する工程とを含むことにより、コンタクトホール形成後、配線層となる導電膜を堆積するときに、絶縁膜側壁の上端部が突き出てしまうことなく、またホール開口部が狭くなることなく、微細なコンタクトホールを配線層の断線などのない安定した形状で半導体装置が形成できる。
請求項（抜粋）：
被接続層が形成された半導体基板に層間絶縁膜及び堆積膜を連続的に形成する工程と、前記堆積膜及び層間絶縁膜を選択的に異方性エッチングにより除去して接続孔を形成する工程と、少なくとも前記接続孔内部にCVD絶縁膜を被覆する工程と、前記CVD絶縁膜に対して異方性エッチングを行ない、前記接続孔の側面に前記CVD絶縁膜からなる絶縁膜側壁を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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