特許

J-GLOBAL ID：200903007434245150

多結晶性/単結晶性シリコン界面における界面酸化物のコントロール法及びそれから導かれる装置

発明者： ロバート・キンバル・クツク ,  ロナルド・ウイリアム・ネツパー ,  スボドー・ケーシヤブ・クルカルニ ,  ラツセル・チヤールズ・ランジユ ,  ポール・アンドルー・ロンスハイム ,  セシヤドリ・スツバナ ,  マーヌ・ジヤムナダス・テジユワニ ,  ボブ・ホン・ユン
出願人/特許権者： インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103410
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129206
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 単結晶性/多結晶性エミッターの界面酸素濃度をコントロールする方法に関する。【構成】 希薄HF酸性溶液中ウェーファーを浸漬することによって単結晶性シリコンの表面をパッシベーションし、ウェーファーを高真空雰囲気中に移し、ウェーファーを400〜700°Cに加熱し、10-5〜1トリチェリの酸素の分圧を有するガスに単結晶性シリコンの表面を1〜100分間曝露し、そして単結晶性シリコンの表面上にポリシリコンをデポジションさせる工程よりなる。

請求項（抜粋）：

次の工程、a) 単結晶性シリコンを水素でパッシベーションし;b) 基材を所定の温度に加熱し;c) 基材の一部分を酸化するために所定の酸素分圧を有するガスに所定の長さの時間基材を曝露し;そしてd) 基材上に多結晶性シリコンをデポジションさせる、を特徴とする単結晶性シリコン基材上にデバイスを形成する方法。