特許

J-GLOBAL ID：200903007435500382

圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法

発明者： 宮下 悟
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258400
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112550
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【構成】 金属アルコキシドを主原料とするゾルゲル法による強誘電体薄膜の製造において、原料を加水分解したゾルに可溶性有機高分子を添加し、均一に混合して塗布、仮焼成により多孔質ゲル薄膜を形成した後、更に原料を加水分解したゾルを塗布することを特徴とする圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法。【効果】 厚膜化が容易で、高い圧電ひずみ定数と高いヤング率を持つ圧電素子を歩留まりよく提供できた。容易なプロセスで作製することができるため、低コストで微細化も可能である。

請求項（抜粋）：

金属アルコキシドを主原料とするゾルゲル法による強誘電体薄膜の製造において、原料を加水分解したゾルに可溶性有機高分子を添加し、均一に混合して塗布、仮焼成により多孔質ゲル薄膜を形成した後、更に原料を加水分解したゾルを塗布することを特徴とする圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 41/24 ,  B01J 19/00 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C04B 38/00 304

FI (2件)：

H01L 41/22 A ,  B41J 3/04 103 A