特許

J-GLOBAL ID：200903007442029563

半導体装置およびその製造方法

発明者： 石田 裕康 ,  及川 慎 ,  岡田 喜久雄 ,  宮原 正二 ,  落合 直弘 ,  櫛山 和成
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039668
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228906
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】チャネル層の不純物濃度は比較的低い領域である。ゲート電極をストライプ状に形成し、ソース領域をはしご状に形成するパターンでは、部分的にソース領域直下にチャネル層の低濃度領域が配置するため、電位降下が発生しアバランシェ耐量が劣化する問題があった。【解決手段】本発明は、ゲート電極をストライプ状とし、ソース領域をはしご状に設けるパターンで、ボディ領域をゲート電極と平行にストライプ状に設ける。ゲート電極に隣接する第1ソース領域間のチャネル層表面には第1ボディ領域が露出し、第1ソース領域同士を連結する第2ソース領域下方に第2ボディ領域を設ける。これによりアバランシェ耐量を向上できる。また、ボディ領域を形成するマスクが不要となるので、合わせ精度に余裕ができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板上に一導電型半導体層を積層したドレイン領域と、 前記ドレイン領域表面に設けられた逆導電型のチャネル層と、 前記チャネル層とコンタクトする絶縁膜と、 前記絶縁膜を介して前記チャネル層と隣接しストライプ状に設けられたゲート電極と、 前記チャネル層表面に設けられ前記ゲート電極と隣り合う一導電型のソース領域と、 前記チャネル層表面に設けられた逆導電型の第1ボディ領域と、 前記チャネル層内部に埋め込まれた逆導電型の第2ボディ領域と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658G

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-241041   出願人：三菱電機株式会社