特許

J-GLOBAL ID：200903007442106304

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 三惠子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084811
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284596
出願日： 1997年04月03日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【目的】 CMP法によりタングステンプラグを形成する際に、露出した層間絶縁膜の表面に傷が発生することのないようにする。【構成】 第1の金属配線3を有する半導体基板1上に層間絶縁膜4を形成する(a)。ビアホール5を開孔し、密着層(TiN層)6、タングステン膜7を全面に成膜する(b)。砥粒としてアルミナ粒子を含むスラリーにポリエチレンオキシド基を含んだ非イオン型界面活性剤が添加された研磨剤を用いてCMPにより、層間絶縁膜上のタングステン膜と密着層を研磨・除去してタングステンプラグを形成する。導電体層の成膜とそのパターニングにより第2の金属配線8を形成する(c)。

請求項（抜粋）：

(1)下層導電体層を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、(2)前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去して前記下層導電体層の表面を露出させる接続孔を形成する工程と、(3)前記接続孔内を含んで前記層間絶縁膜上全面に導電性膜を形成する工程と、(4)前記層間絶縁膜上の前記導電性膜を化学的機械的研磨(CMP)により除去して、前記接続孔内を埋め込む導電性プラグを形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記第(4)の工程における化学的機械的研磨は、アルミナ粒子および酸化剤を含むスラリーにポリエチレンオキシド基を含んだ非イオン型界面活性剤が添加された研磨剤を用いて行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/88 K