特許

J-GLOBAL ID：200903007442135967

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 岡本 好彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139939
公開番号（公開出願番号）：特開2001-318455
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 同一の半導体集積回路装置または同一系列の半導体集積回路装置の製造に用いられる複数枚のマスクを効率的に製作する。【解決手段】 マスク設計データを、ラフパターンを描画するための第一種EB用データとファインパターンを描画するための第二種EB用データとに分け、それぞれの装置に対応したマスク描画データへ変換する。第一種EBおよび第二種EBそれぞれの装置に対応したマスク描画データの完成後、その第一種EBおよび第二種EBそれぞれの装置により、マスクへ回路パターンの描画を行う。

請求項（抜粋）：

同一の半導体集積回路装置または同一系列の半導体集積回路装置を複数枚のマスクを用いて製造する際に、(a)マスク設計データを作成する工程、(b)前記マスク設計データを、所定のエネルギービームサイズのオンオフ照射により回路パターンを描画する第1方式の描画装置用の第1マスク描画データと、前記ビームサイズを変更しながらビームを照射し回路パターンを描画する第2方式の描画装置用の第2マスク描画データとに変換する工程、(c)前記第1方式の描画装置と前記第1マスク描画データとを用い、第1マスクに第1回路パターンを描画する工程、(d)前記第2方式の描画装置と前記第2マスク描画データとを用い、第2マスクに第2回路パターンを描画する工程、(e)前記第1マスクに描画された前記第1回路パターンおよび前記第2マスクに描画された前記第2回路パターンを投影露光により半導体ウェハ上に転写する工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 B ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 541 M

Fターム (14件)：

2H095BB01 ,  2H095BB10 ,  2H095BB34 ,  2H097AA03 ,  2H097BB10 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CB17 ,  5F056AA12 ,  5F056AA13 ,  5F056CA01 ,  5F056CA30