配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130964
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321622
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】下地に対して傾斜した側面を有する配線の形成。【解決手段】半導体基板10の主表面10a上に金属薄膜18を形成する。次に、この金属薄膜18上に、表面感光型のネガ型レジスト用いて、逆テーパ形状の開口部22を有するレジストパタン20を形成する。次に、開口部22に露出した金属薄膜部分18a上に、電解めっきにより、主表面10aに対して傾斜した側面24aを有する金の配線パタン24を形成する。次に、この配線パタン24の直下以外の金属薄膜部分18bおよびレジストパタン20を除去して配線26を形成する。

請求項（抜粋）：

下地の主表面上に導電性薄膜を形成する工程と、該導電性薄膜上に、表面感光型のネガ型レジスト用いて、逆テーパ形状の開口部を有するレジストパタンを形成する工程と、前記開口部に露出した導電性薄膜部分上に、電解めっきにより、前記主表面に対して傾斜した側面を有する配線パタンを形成する工程と、該配線パタンの直下以外の導電性薄膜部分および前記レジストパタンを除去して配線を形成する工程とを含むことを特徴とする配線形成方法。

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