特許
J-GLOBAL ID：200903007453357333

成膜装置及び成膜方法

発明者：
柏木 勇作

柏木 勇作 について

, 
中尾 賢

中尾 賢 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-032160
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194099
出願日： 2008年02月13日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制してクリーニング処理の頻度を減少させると共に、クリーニング処理時間を短くし、これにより装置の使用効率を上げてスループットを大幅に向上させることが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体Wの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器4と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段6と、処理容器内を真空引きする真空排気系30と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段20と、処理容器を加熱する容器加熱手段14と、保持手段を冷却する内部冷却手段40と、処理容器の側壁と保持手段との間の温度差が所定の温度差以上になるように制御する温度制御部62とを備える。これにより、処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体の表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、 前記被処理体を収容する処理容器と、 前記処理容器内で前記被処理体を保持する保持手段と、 前記処理容器内を真空引きする真空排気系と、 前記処理容器内へ前記高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段と、 前記処理容器を加熱する容器加熱手段と、 前記保持手段を冷却する内部冷却手段と、 前記処理容器の側壁と前記保持手段との間の温度差が所定の温度差以上になるように制御する温度制御部と、 を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/312 ,  C23C 14/12
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/312 B ,  C23C14/12
Fターム (38件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA11 ,  4K029DA01 ,  4K029DA04 ,  4K029DB06 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029JA01 ,  4K029KA01 ,  5F045AA06 ,  5F045AB39 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AE21 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE02 ,  5F045EF02 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK06 ,  5F045EM02 ,  5F045EM08 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC10 ,  5F058AF01 ,  5F058AH03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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