特許

J-GLOBAL ID：200903007454856570

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 英 善明 ,  細江 英之 ,  宮本 誠司 ,  内田 明久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-255921
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102497
出願日： 1995年10月03日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】 CCBバンプ接続における接続不良を防止し、接続の信頼度を向上させる。【解決手段】 パッケージ基板2にCCBバンプ1を搭載する複数個のBLM5が設けられ、BLM5が半導体素子3とパッケージ基板2との間の距離6に応じて異なった面積に形成されたCCBバンプ取付け面5aを有した半導体集積回路装置であり、パッケージ基板2の中央付近2aが半導体素子3の搭載側に凸状態となっているため、外周部2bのCCBバンプ取付け面5aの面積の方が、中央付近2aのCCBバンプ取付け面5aの面積よりも小さく形成され、BLM5にほぼ一定量のはんだを供給することにより、搭載時のCCBバンプ1の高さを一様にする。

請求項（抜粋）：

半導体素子がCCBバンプを介して基板に接続される半導体集積回路装置であって、前記半導体素子および前記基板にほぼ一定量のはんだによって形成されたCCBバンプを搭載する複数個のバンプ接続用電極が設けられ、前記半導体素子または前記基板の何れか一方あるいはその両者のバンプ接続用電極が前記半導体素子と前記基板との間の距離に応じて異なった面積に形成されたCCBバンプ取付け面を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 602 Q ,  H01L 21/60 311 S