特許

J-GLOBAL ID：200903007457514573

半導体装置の裏面電極形成方法

発明者： 中野 次郎 ,  松原 享治
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196494
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020984
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の裏面電極の接着強度およびオーミック特性を向上せしめた裏面電極形成方法を得ること。【構成】 半導体装置の裏面電極形成方法において、半導体基板例えばシリコンウェーハ1の裏面12の一部をエッチングすることにより、エッチングした部分が前記裏面12の凹部となるので、前記裏面12に形成した電極3aにもこの凹部と同様の凹部が生じるため、この電極3aを半田73等によりパッケージの電極72に接着したとき、機械的アンカー効果により接着を強固にすることができる。さらに、上述のエッチング後前記シリコンウェーハ1の裏面12に不純物層としてリン拡散層53を形成すると、前記電極のオーミック特性を向上せしめることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の裏面に、この基板の一部を露出する開口部を有する耐エッチング性膜を形成する第一の工程と、この耐エッチング性膜をエッチングマスクとして前記半導体基板の裏面をエッチングする第二の工程と、前記耐エッチング性膜を除去する第三の工程と、前記基板の裏面に電極を形成する第四の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の裏面電極形成方法。