特許

J-GLOBAL ID：200903007458716536

セラミック配線基板

発明者： 伊藤 広繁 ,  山崎 高志
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231415
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046205
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 セラミック配線基板の上面のメタライズ配線導体にめっき金属層を被着させる際に下面の厚膜回路に分割溝を伝ってめっき液等が侵入し、厚膜回路に腐食・剥離等が発生してしまう。【解決手段】 セラミック母基板1の少なくとも下面に分割溝3を縦横に形成し、この分割溝3によって区画された四角形状の領域1aの上面にめっき金属層が被着されたメタライズ配線導体2を、下面に有機樹脂から成る被覆層4で被覆された厚膜回路5をそれぞれ形成して成るセラミック配線基板6であって、被覆層4は、セラミック母基板1の下面の外周部1bに形成された分割溝3も被覆している。外周部1bの分割溝3からの厚膜回路5へのめっき液等の侵入を効果的に防止して腐食・剥離等の発生を防止することができ、セラミック配線基板6の信頼性を優れたものとすることができる。

請求項（抜粋）：

セラミック母基板の少なくとも下面に分割溝を縦横に形成し、該分割溝によって区画された四角形状の領域の上面にめっき金属層が被着されたメタライズ配線導体を、下面に有機樹脂から成る被覆層で被覆された厚膜回路をそれぞれ形成して成るセラミック配線基板であって、前記被覆層は、前記セラミック母基板の下面の外周部に形成された前記分割溝も被覆していることを特徴とするセラミック配線基板。

IPC (4件)：

H05K 1/02 ,  H01L 23/13 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/28

FI (4件)：

H05K 1/02 G ,  H05K 3/24 C ,  H05K 3/28 B ,  H01L 23/12 C

Fターム (24件)：

5E314AA08 ,  5E314AA32 ,  5E314BB03 ,  5E314CC06 ,  5E314FF02 ,  5E314FF12 ,  5E314GG14 ,  5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338BB47 ,  5E338EE32 ,  5E343AA02 ,  5E343AA23 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB39 ,  5E343BB40 ,  5E343BB72 ,  5E343DD02 ,  5E343DD33 ,  5E343ER35 ,  5E343ER43 ,  5E343GG18