特許
J-GLOBAL ID：200903007459439382
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165385
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022338
出願日： 1993年07月05日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 簡単にトランジスタのソース、ドレイン領域に単結晶シリコン膜を積み上げる。【構成】 LPCVD法により、大気中にさらさずに活性領域107の酸化膜106を除去し、半導体基板101表面を露出し、酸化膜上でアモルファスシリコン膜が成長する条件で単結晶シリコン膜108をエピタキシャル成長させる。【効果】 比較的低温でかつ簡単にトランジスタのソース、ドレイン領域に単結晶シリコン膜を形成することができ、トランジスタの短チャンネル効果を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にシリコン膜を堆積する半導体装置の製造方法において、上記半導体基板として単結晶シリコン基板を用い、大気中にさらさないまま上記単結晶シリコン基板表面を露出してからLPCVD法により上記単結晶シリコン基板表面が露出している活性領域に上記単結晶シリコン基板表面の面方位を受け継いで単結晶シリコン膜をエピタキシャル成長させると共に、上記活性領域以外の領域にアモルファスシリコン膜を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 29/78
, H01L 21/336
